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SBC847BDW1T1G

SBC847BDW1T1G

僅供參考

型號 SBC847BDW1T1G
PNEDA編號 SBC847BDW1T1G
描述 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 158,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBC847BDW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBC847BDW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
SBC847BDW1T1G, SBC847BDW1T1G數據表 (總頁數: 13, 大小: 177.52 KB)
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SBC847BDW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

550mW

頻率-過渡

330MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA / 250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V / 200 @ 2mA, 700mV

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 1.8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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