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S9S08SG4E2VTJR

S9S08SG4E2VTJR

僅供參考

型號 S9S08SG4E2VTJR
PNEDA編號 S9S08SG4E2VTJR
描述 IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S08SG4E2VTJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S08SG4E2VTJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
S9S08SG4E2VTJR, S9S08SG4E2VTJR數據表 (總頁數: 316, 大小: 4,876.44 KB)
PDFS9S08SG4E2MSC數據表 封面
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S9S08SG4E2VTJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度40MHz
連接性I²C, LINbus, SCI, SPI
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量16
程序存儲器大小8KB (8K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小512 x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 12x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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I / O數量

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程序存儲器大小

512KB (512K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

128K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.71V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 35x16b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 8x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 10x10b/12b; D/A 2x16b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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I / O數量

64

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

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EEPROM大小

-

RAM大小

32K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.08V ~ 3.6V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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I / O數量

14

程序存儲器大小

8KB (8K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

RAM大小

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