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S9S08SG16E1VTJR

S9S08SG16E1VTJR

僅供參考

型號 S9S08SG16E1VTJR
PNEDA編號 S9S08SG16E1VTJR
描述 IC MCU 8BIT 16KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S08SG16E1VTJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S08SG16E1VTJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
S9S08SG16E1VTJR, S9S08SG16E1VTJR數據表 (總頁數: 338, 大小: 3,553.54 KB)
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S9S08SG16E1VTJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度40MHz
連接性I²C, LINbus, SCI, SPI
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量16
程序存儲器大小16KB (16K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小1K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 12x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.71V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x12b

振蕩器類型

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工作溫度

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安裝類型

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程序存儲器大小

2MB (2M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

352K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.13V ~ 3.63V

數據轉換器

A/D 24x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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核心大小

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

114

程序存儲器大小

1.5MB (1.5M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

32K x 8

RAM大小

128K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 16x12b; D/A 2x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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40

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4.25K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.25V

數據轉換器

A/D 32x12b

振蕩器類型

Internal

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安裝類型

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連接性

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I / O數量

20

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 5.5V

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工作溫度

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