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S9S08RNA16W2MTJR

S9S08RNA16W2MTJR

僅供參考

型號 S9S08RNA16W2MTJR
PNEDA編號 S9S08RNA16W2MTJR
描述 IC MCU 8BIT 16KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S08RNA16W2MTJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S08RNA16W2MTJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
S9S08RNA16W2MTJR, S9S08RNA16W2MTJR數據表 (總頁數: 35, 大小: 704.92 KB)
PDFS9S08RN8W2MTJ數據表 封面
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S9S08RNA16W2MTJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度20MHz
連接性I²C, LINbus, SPI, UART/USART
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量16
程序存儲器大小16KB (16K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小256 x 8
RAM大小2K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 10x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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I / O數量

53

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 6V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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外圍設備

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I / O數量

39

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 19x12b; D/A 3x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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核心大小

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速度

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連接性

EBI/EMI, SPI, UART/USART

外圍設備

POR, PWM, WDT

I / O數量

77

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

ROMless

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.5V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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連接性

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外圍設備

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120

程序存儲器大小

4MB (4M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

192K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.14V ~ 1.32V

數據轉換器

A/D 40x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

24K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 16x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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