RW1A030APT2CR
僅供參考
| 型號 | RW1A030APT2CR |
| PNEDA編號 | RW1A030APT2CR |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 95,442 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RW1A030APT2CR資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | RW1A030APT2CR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- RW1A030APT2CR Datasheet
- where to find RW1A030APT2CR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR
- RW1A030APT2CR PDF Datasheet
- RW1A030APT2CR Stock
- RW1A030APT2CR Pinout
- Datasheet RW1A030APT2CR
- RW1A030APT2CR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RW1A030APT2CR Price
- RW1A030APT2CR Distributor
RW1A030APT2CR規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 12V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 3A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 1.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 42mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | -8V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2700pF @ 6V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 700mW (Ta) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | 6-WEMT |
| 包裝/箱 | SOT-563, SOT-666 |
您可能感興趣的產品
|
制造商 IXYS Integrated Circuits Division 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 230pF @ 20V FET功能 Depletion Mode 功耗（最大值） 1.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 110°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-223 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ M2 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 538pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 85W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 21nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1660pF @ 12V FET功能 - 功耗（最大值） 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.8V @ 184µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 139nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 10300pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 250W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 600pF @ 75V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta), 39W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
