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RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

僅供參考

型號 RQ3E120BNTB
PNEDA編號 RQ3E120BNTB
描述 MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ3E120BNTB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ3E120BNTB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RQ3E120BNTB, RQ3E120BNTB數據表 (總頁數: 13, 大小: 2,623.89 KB)
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RQ3E120BNTB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

347W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Global Power Technologies Group

系列

-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

347W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1925pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Ta)

工作溫度

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