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RN2907FE,LF(CT

RN2907FE,LF(CT

僅供參考

型號 RN2907FE,LF(CT
PNEDA編號 RN2907FE-LF-CT
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 29,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2907FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2907FE,LF(CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN2907FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

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