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RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

僅供參考

型號 RN2309(TE85L,F)
PNEDA編號 RN2309-TE85L-F
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2309(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2309(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2309(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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20V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 4mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

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