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RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

僅供參考

型號 RN2103CT(TPL3)
PNEDA編號 RN2103CT-TPL3
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2103CT(TPL3)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2103CT(TPL3)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2103CT(TPL3)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大50mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝CST3

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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電阻-發射極基(R2)

5.1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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