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RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

僅供參考

型號 RN2102CT(TPL3)
PNEDA編號 RN2102CT-TPL3
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2102CT(TPL3)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2102CT(TPL3)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2102CT(TPL3)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大50mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝CST3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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