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RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

僅供參考

型號 RN1113CT(TPL3)
PNEDA編號 RN1113CT-TPL3
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1113CT(TPL3)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1113CT(TPL3)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
RN1113CT(TPL3), RN1113CT(TPL3)數據表 (總頁數: 6, 大小: 174.67 KB)
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RN1113CT(TPL3)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大50mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝CST3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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