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RGTH80TS65GC11

RGTH80TS65GC11

僅供參考

型號 RGTH80TS65GC11
PNEDA編號 RGTH80TS65GC11
描述 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TS65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TS65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TS65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大234W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

1.16mJ (on), 470µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/93ns

測試條件

600V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

56A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

170W

開關能量

200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/90ns

測試條件

400V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 25A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 30A

功率-最大

235W

開關能量

919µJ (on), 814µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/54ns

測試條件

300V, 30A, 7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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