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RGTH80TS65DGC11

RGTH80TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH80TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH80TS65DGC11
描述 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大234W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

770µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/199ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 13A

功率-最大

250W

開關能量

114µJ (on), 165µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

9ns/28ns

測試條件

600V, 13A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

功率-最大

961W

開關能量

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

544nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/278ns

測試條件

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

220µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/100ns

測試條件

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

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