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RGTH80TK65GC11

RGTH80TK65GC11

僅供參考

型號 RGTH80TK65GC11
PNEDA編號 RGTH80TK65GC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TK65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TK65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TK65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)31A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大66W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

283W

開關能量

498µJ (on), 363µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/142ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 8A

功率-最大

156W

開關能量

300µJ (on), 285µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

7ns/100ns

測試條件

800V, 8A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Die

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

310A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 60A

功率-最大

750W

開關能量

2.7mJ (on), 1.55mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

107nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/87ns

測試條件

450V, 60A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

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320µJ (on), 350µJ (off)

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門禁費用

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