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RGTH60TS65DGC11

RGTH60TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH60TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH60TS65DGC11
描述 IGBT 650V 58A 194W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH60TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH60TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH60TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)58A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大194W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)27ns/105ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/6µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

70A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 10A

功率-最大

110W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

開關能量

310µJ (on), 3.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

76ns/815ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 4V, 25A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/4µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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