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RGTH50TK65DGC11

RGTH50TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH50TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH50TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)26A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大59W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

175A

電流-集電極脈沖(Icm)

1000A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 100A

功率-最大

520W

開關能量

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

315nC

25°C時的Td(開/關)

48ns/160ns

測試條件

360V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/6µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

28.7nC

25°C時的Td(開/關)

-/15µs

測試條件

300V, 10A, 25Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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