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RGTH50TK65DGC11

RGTH50TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH50TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH50TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)26A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大59W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

333W

開關能量

2.6mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/299ns

測試條件

400V, 50A, 7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

PG-TO220-3

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 16A

功率-最大

310W

開關能量

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

56nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/140ns

測試條件

850V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

375V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

28.7nC

25°C時的Td(開/關)

-/15µs

測試條件

300V, 10A, 25Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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12A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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