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RGTH40TS65DGC11

RGTH40TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH40TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH40TS65DGC11
描述 IGBT 650V 40A 144W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH40TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH40TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH40TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 20A
功率-最大144W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)22ns/73ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 36A

功率-最大

600W

開關能量

1.3mJ (on), 370µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/80ns

測試條件

400V, 36A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 42A

功率-最大

360W

開關能量

-

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Standard

門禁費用

188nC

25°C時的Td(開/關)

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-

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安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32.7nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/50ns

測試條件

480V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 42A

功率-最大

240W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/445ns

測試條件

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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