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RGT8NS65DGTL

RGT8NS65DGTL

僅供參考

型號 RGT8NS65DGTL
PNEDA編號 RGT8NS65DGTL
描述 IGBT 650V 8A 65W TO-263S
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT8NS65DGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT8NS65DGTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT8NS65DGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)12A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大65W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用13.5nC
25°C時的Td(開/關)17ns/69ns
測試條件400V, 4A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS (TO-263S)

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

600µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/170ns

測試條件

600V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

26A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 5A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

18.2nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/215ns

測試條件

400V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 25A

功率-最大

300W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

103nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.6µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

26.9A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.2V @ 4V, 6A

功率-最大

166W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

1µs/5.3µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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