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RGT50NS65DGTL

RGT50NS65DGTL

僅供參考

型號 RGT50NS65DGTL
PNEDA編號 RGT50NS65DGTL
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT50NS65DGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT50NS65DGTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT50NS65DGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)48A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大194W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/88ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 3A

功率-最大

22W

開關能量

57µJ (on), 25µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/60ns

測試條件

300V, 3A, 80Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

52ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

258W

開關能量

300µJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

31.6ns/115ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

250W

開關能量

900µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/183ns

測試條件

400V, 15A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/130ns

測試條件

400V, 24A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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