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R1WV6416RBG-5SI#B0

R1WV6416RBG-5SI#B0

僅供參考

型號 R1WV6416RBG-5SI#B0
PNEDA編號 R1WV6416RBG-5SI-B0
描述 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1WV6416RBG-5SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1WV6416RBG-5SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1WV6416RBG-5SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小64Mb (8M x 8, 4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (8.5x11)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

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3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存接口

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