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R1LV0108ESN-7SI#B0

R1LV0108ESN-7SI#B0

僅供參考

型號 R1LV0108ESN-7SI#B0
PNEDA編號 R1LV0108ESN-7SI-B0
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0108ESN-7SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0108ESN-7SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0108ESN-7SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
供應商設備包裝32-SOP

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Parallel

時鐘頻率

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90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存格式

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內存大小

2Tb (256G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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