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QS5W1TR

QS5W1TR

僅供參考

型號 QS5W1TR
PNEDA編號 QS5W1TR
描述 TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS5W1TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS5W1TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QS5W1TR, QS5W1TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,339.14 KB)
PDFQS5W1TR數據表 封面
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QS5W1TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual) Common Emitter
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡270MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供應商設備包裝TSMT5

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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