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PUMD3,115

PUMD3,115

僅供參考

型號 PUMD3,115
PNEDA編號 PUMD3-115
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 1,070,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD3資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD3,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD3, PUMD3數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,688.92 KB)
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PUMD3規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

130MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

UMA4NT1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 15V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

280MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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包裝/箱

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