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PUMD2,115

PUMD2,115

僅供參考

型號 PUMD2,115
PNEDA編號 PUMD2-115
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 28,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD2資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD2,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD2, PUMD2數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,124.59 KB)
PDFPUMD2/DG/B3數據表 封面
PUMD2/DG/B3數據表 頁面 2 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 3 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 4 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 5 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 6 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 7 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 8 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 9 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 10 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 11

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PUMD2規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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-

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250mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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