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PSMN3R3-80ES,127

PSMN3R3-80ES,127

僅供參考

型號 PSMN3R3-80ES,127
PNEDA編號 PSMN3R3-80ES-127
描述 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN3R3-80ES資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN3R3-80ES,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN3R3-80ES, PSMN3R3-80ES數據表 (總頁數: 14, 大小: 800.02 KB)
PDFPSMN3R3-80ES數據表 封面
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PSMN3R3-80ES規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs139nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9961pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)338W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

309mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1205pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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