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PSMN013-30MLC,115

PSMN013-30MLC,115

僅供參考

型號 PSMN013-30MLC,115
PNEDA編號 PSMN013-30MLC-115
描述 MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN013-30MLC資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN013-30MLC,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN013-30MLC, PSMN013-30MLC數據表 (總頁數: 14, 大小: 293.39 KB)
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PSMN013-30MLC規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.95V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds519pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK33
包裝/箱SOT-1210, 8-LFPAK33

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 220µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 8µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

29W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 2.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(最大)

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