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PQMH13Z

PQMH13Z

僅供參考

型號 PQMH13Z
PNEDA編號 PQMH13Z
描述 TRANS NPN/NPN RET 6DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PQMH13Z資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PQMH13Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PQMH13Z, PQMH13Z數據表 (總頁數: 14, 大小: 702.53 KB)
PDFPQMH13Z數據表 封面
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PQMH13Z規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡230MHz
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010B-6

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 500µA, 300mV @ 5mA, 250µA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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DCX114YU-7

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

PUMH30,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

130MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

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包裝/箱

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