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PN4391_D27Z

PN4391_D27Z

僅供參考

型號 PN4391_D27Z
PNEDA編號 PN4391_D27Z
描述 JFET N-CH 30V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN4391_D27Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN4391_D27Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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PN4391_D27Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50mA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 20V
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1A

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V (VGS)

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

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