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PMBFJ109,215

PMBFJ109,215

僅供參考

型號 PMBFJ109,215
PNEDA編號 PMBFJ109-215
描述 JFET N-CH 25V 250MW SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $17.0195
100 ---------- $16.2217
250 ---------- $15.4239
500 ---------- $14.6262
750 ---------- $13.9613
1,000 ---------- $13.2965
庫存 1
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ109資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ109,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ109, PMBFJ109數據表 (總頁數: 9, 大小: 81.21 KB)
PDFPMBFJ108數據表 封面
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PMBFJ109規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)40mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID6V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)12 Ohms
功率-最大250mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

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150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

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-

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