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PEMH20,115

PEMH20,115

僅供參考

型號 PEMH20,115
PNEDA編號 PEMH20-115
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMH20資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMH20,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMH20, PEMH20數據表 (總頁數: 10, 大小: 379.88 KB)
PDFPEMH20數據表 封面
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PEMH20規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

頻率-過渡

230MHz, 180MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

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-

功率-最大

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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