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PEMH2,115

PEMH2,115

僅供參考

型號 PEMH2,115
PNEDA編號 PEMH2-115
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMH2資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMH2,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMH2, PEMH2數據表 (總頁數: 15, 大小: 906.96 KB)
PDFPUMH2/DG/B3數據表 封面
PUMH2/DG/B3數據表 頁面 2 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 3 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 4 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 5 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 6 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 7 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 8 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 9 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 10 PUMH2/DG/B3數據表 頁面 11

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PEMH2規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

300mW

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

230mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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