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PEMH18,115

PEMH18,115

僅供參考

型號 PEMH18,115
PNEDA編號 PEMH18-115
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMH18資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMH18,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMH18, PEMH18數據表 (總頁數: 15, 大小: 720.2 KB)
PDFPEMH18數據表 封面
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  • PEMH18,115 Distributor

PEMH18規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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電阻-基本(R1)

22kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms, 22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

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80 @ 10mA, 5V

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