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PDTC115ES,126

PDTC115ES,126

僅供參考

型號 PDTC115ES,126
PNEDA編號 PDTC115ES-126
描述 TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC115ES資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC115ES,126
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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PDTC115ES規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)100 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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