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PDTC114EE,115

PDTC114EE,115

僅供參考

型號 PDTC114EE,115
PNEDA編號 PDTC114EE-115
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC114EE資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC114EE,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC114EE, PDTC114EE數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,327.29 KB)
PDFPDTC114ET/DG/B2數據表 封面
PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 2 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 3 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 4 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 5 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 6 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 7 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 8 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 9 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 10 PDTC114ET/DG/B2數據表 頁面 11

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PDTC114EE規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡230MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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100mA

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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100mA

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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