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PDTB143XQAZ

PDTB143XQAZ

僅供參考

型號 PDTB143XQAZ
PNEDA編號 PDTB143XQAZ
描述 TRANS PREBIAS PNP 3DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTB143XQAZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTB143XQAZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTB143XQAZ, PDTB143XQAZ數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,996.88 KB)
PDFPDTB143XQAZ數據表 封面
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PDTB143XQAZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡150MHz
功率-最大325mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010D-3

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

246mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

DTA115EM3T5G

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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