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PDTB113ZUF

PDTB113ZUF

僅供參考

型號 PDTB113ZUF
PNEDA編號 PDTB113ZUF
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.425W
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTB113ZUF資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTB113ZUF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTB113ZUF, PDTB113ZUF數據表 (總頁數: 27, 大小: 3,639.45 KB)
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PDTB113ZUF規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡140MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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