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PDTA115EE,115

PDTA115EE,115

僅供參考

型號 PDTA115EE,115
PNEDA編號 PDTA115EE-115
描述 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 28 - 六月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA115EE資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA115EE,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA115EE, PDTA115EE數據表 (總頁數: 15, 大小: 417.57 KB)
PDFPDTA115ES數據表 封面
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PDTA115EE規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)100 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

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100mA

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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