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PDTA114YMB,315

PDTA114YMB,315

僅供參考

型號 PDTA114YMB,315
PNEDA編號 PDTA114YMB-315
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA114YMB資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA114YMB,315
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA114YMB, PDTA114YMB數據表 (總頁數: 12, 大小: 836.79 KB)
PDFPDTA114YMB數據表 封面
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PDTA114YMB規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡180MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XFDFN
供應商設備包裝DFN1006B-3

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

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300mV @ 500µA, 10mA

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