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PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115

僅供參考

型號 PBSS4160DS,115
PNEDA編號 PBSS4160DS-115
描述 TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 356,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBSS4160DS資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBSS4160DS,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
PBSS4160DS, PBSS4160DS數據表 (總頁數: 15, 大小: 324.9 KB)
PDFPBSS4160DSZ數據表 封面
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PBSS4160DS規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 5V
功率-最大420mW
頻率-過渡220MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 300mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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