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PBRN123ES,126

PBRN123ES,126

僅供參考

型號 PBRN123ES,126
PNEDA編號 PBRN123ES-126
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBRN123ES資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBRN123ES,126
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PBRN123ES, PBRN123ES數據表 (總頁數: 17, 大小: 735.03 KB)
PDFPBRN123ES數據表 封面
PBRN123ES數據表 頁面 2 PBRN123ES數據表 頁面 3 PBRN123ES數據表 頁面 4 PBRN123ES數據表 頁面 5 PBRN123ES數據表 頁面 6 PBRN123ES數據表 頁面 7 PBRN123ES數據表 頁面 8 PBRN123ES數據表 頁面 9 PBRN123ES數據表 頁面 10 PBRN123ES數據表 頁面 11

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PBRN123ES規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 300mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大700mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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安裝類型

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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