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PBLS6022D,115

PBLS6022D,115

僅供參考

型號 PBLS6022D,115
PNEDA編號 PBLS6022D-115
描述 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS6022D資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS6022D,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS6022D, PBLS6022D數據表 (總頁數: 17, 大小: 226.25 KB)
PDFPBLS6022D數據表 封面
PBLS6022D數據表 頁面 2 PBLS6022D數據表 頁面 3 PBLS6022D數據表 頁面 4 PBLS6022D數據表 頁面 5 PBLS6022D數據表 頁面 6 PBLS6022D數據表 頁面 7 PBLS6022D數據表 頁面 8 PBLS6022D數據表 頁面 9 PBLS6022D數據表 頁面 10 PBLS6022D數據表 頁面 11

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PBLS6022D規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 60V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡150MHz
功率-最大760mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

230mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-553

供應商設備包裝

SOT-553

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-666

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

PUMD10,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

230MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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