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PBLS4003V,115

PBLS4003V,115

僅供參考

型號 PBLS4003V,115
PNEDA編號 PBLS4003V-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS4003V資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS4003V,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS4003V, PBLS4003V數據表 (總頁數: 12, 大小: 224.11 KB)
PDFPBLS4003V數據表 封面
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PBLS4003V規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 40V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡300MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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