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NZT6726

NZT6726

僅供參考

型號 NZT6726
PNEDA編號 NZT6726
描述 TRANS PNP 30V 1.5A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NZT6726資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NZT6726
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NZT6726, NZT6726數據表 (總頁數: 12, 大小: 610.99 KB)
PDFTN6726A_D26Z數據表 封面
TN6726A_D26Z數據表 頁面 2 TN6726A_D26Z數據表 頁面 3 TN6726A_D26Z數據表 頁面 4 TN6726A_D26Z數據表 頁面 5 TN6726A_D26Z數據表 頁面 6 TN6726A_D26Z數據表 頁面 7 TN6726A_D26Z數據表 頁面 8 TN6726A_D26Z數據表 頁面 9 TN6726A_D26Z數據表 頁面 10 TN6726A_D26Z數據表 頁面 11

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NZT6726規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 1A, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-4

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 8A, 4V

功率-最大

250W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-204 (TO-3)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

10V @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 10mV

功率-最大

20W

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安裝類型

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 1mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

700MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 250mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 5A, 10V

功率-最大

55W

頻率-過渡

-

工作溫度

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