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NVMFD5C462NLWFT1G

NVMFD5C462NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C462NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5C462NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C462NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C462NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C462NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Ta), 84A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 40µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 25V
功率-最大3W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 10V

功率-最大

445mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22Ohm @ 40mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.2pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

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Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 4.38mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5180pF @ 10V

功率-最大

1.7W, 2.5W

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerSMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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