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NTS12120MFST1G

NTS12120MFST1G

僅供參考

型號 NTS12120MFST1G
PNEDA編號 NTS12120MFST1G
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTS12120MFST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTS12120MFST1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NTS12120MFST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果830mV @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr55µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

供應商設備包裝

SOD-123F

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

82ns

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 40V

電容@ Vr,F

180pF @ 1V, 1MHz

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-

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-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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