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NTMFD4C86NT1G

NTMFD4C86NT1G

僅供參考

型號 NTMFD4C86NT1G
PNEDA編號 NTMFD4C86NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 30 - 六月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C86NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C86NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C86NT1G, NTMFD4C86NT1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 131.54 KB)
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NTMFD4C86NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.3A, 18.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1153pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23.6pF @ 10V

功率-最大

285mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.35V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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2.5pF @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 10V

功率-最大

1.4W, 1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

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