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NTLGD3502NT1G

NTLGD3502NT1G

僅供參考

型號 NTLGD3502NT1G
PNEDA編號 NTLGD3502NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLGD3502NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLGD3502NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLGD3502NT1G, NTLGD3502NT1G數據表 (總頁數: 9, 大小: 142.49 KB)
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NTLGD3502NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A, 3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 10V
功率-最大1.74W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN (3x3)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 32V

功率-最大

1.39W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

功率-最大

1.5W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

620nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 800V

功率-最大

20mW

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 200MA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 5V

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