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NSVT489AMT1G

NSVT489AMT1G

僅供參考

型號 NSVT489AMT1G
PNEDA編號 NSVT489AMT1G
描述 TRANS NPN 30V 2A TSOP-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVT489AMT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVT489AMT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSVT489AMT1G, NSVT489AMT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 60.16 KB)
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NSVT489AMT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 500mA, 5V
功率-最大535mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 1V

功率-最大

1.6W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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