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NSVMMUN2136LT1G

NSVMMUN2136LT1G

僅供參考

型號 NSVMMUN2136LT1G
PNEDA編號 NSVMMUN2136LT1G
描述 TRANS PNP BIPOLAR SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMMUN2136LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMMUN2136LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVMMUN2136LT1G, NSVMMUN2136LT1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 88.92 KB)
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NSVMMUN2136LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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