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NSVMBT3904DW1T3G

NSVMBT3904DW1T3G

僅供參考

型號 NSVMBT3904DW1T3G
PNEDA編號 NSVMBT3904DW1T3G
描述 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMBT3904DW1T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMBT3904DW1T3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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NSVMBT3904DW1T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

4 NPN Darlington (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 1.8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 4mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

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